20N03L TO252
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):21.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.25W 类型:N沟道
20N03L TO252的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)21.8A
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻7mΩ @ 21.8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.25W
类型N沟道
20N03L TO252
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20N03L TO252 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.25W 类型:N沟道 | VBsemi(台湾微碧) |  | 841.50 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
20N03L TO252的全球分销商及价格
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 立创商城 | 20N03L TO252 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):21.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7mΩ @ 21.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.25W 类型:N沟道 | 1+:¥0.996 10+:¥0.7489 30+:¥0.7035 100+:¥0.6581 500+:¥0.6379 1000+:¥0.628
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